(资料图)
存储市场通常3-4年一个波动周期,根据历史规律,当前或处于周期底部。全球存储芯片市场空间大,为集成电路第二大细分市场。根据WSTS数据,全球集成电路细分市场周期具有相似的波动性,而其中存储芯片市场的弹性更大,本轮周期的市场规模增速顶部出现在2021年,2022年开始出现规模下滑,从历史经验来看,当前或处于周期底部位置。通过复盘此前三轮周期的影响因素,我们提炼出存储周期的研究框架,同时从两个重要指标来判断周期位置:1)从全球存储龙头2023年的资本开支计划来看,除三星外,其他几大家均宣布下调2023年资本开支计划,且下降幅度较大。2)从库存看,各大存储厂商存货增速都已见顶,逐渐恢复至正常水位。我们预计2023年下半年市场供求关系将恢复正常,行业即将迎来复苏。
需求端:AI大时代带来存储芯片新需求。AI服务器对DRAM和NAND均有更高的需求,AI有望成为存储需求长期增长的强劲驱动力。由OpenAI发布的ChatGPT开启了AI大浪潮时代,各大厂商相继开发并推出大模型产品,大模型中大量的数据集传输和储存对存力提出了更高的要求。在AI服务器中应用的存储芯片主要包括:高带宽存储器(HBM)、DRAM和SSD,针对AI服务器的工作场景需要提供更大的容量、更高的性能、更低的延迟和更高的响应速度。根据美光测算,AI服务器中DRAM数量是传统服务器的8倍,NAND是传统的3倍。
供给端:龙头厂商开启实质性减产,下半年有望出现供需反转。从2022Q1开启的本轮存储周期下行区间,市场价格出现显著下滑,主要存储厂商业绩均出现显著下滑甚至大幅亏损。由于存储市场竞争格局集中,龙头厂商调整产能对市场供给情况改善效果显著,因此为避免市场价格保持下跌,存储大厂会选择通过降低产能利用率的方式缓解供求情况。通过梳理各大存储厂商最新产能规划方案可以发现,各大原厂已经开启实质性减产,我们预计2023年下半年供需情况或将趋于平衡,伴随需求提振有望出现反转。
价格端:跌幅逐渐收窄,23H2或见价格拐点。根据TrendForce数据,2023Q1DRAM价格跌幅近20%,NAND价格跌幅为10%~15%。站在当前时点,各大原厂持续进行减产,供需关系逐渐好转,预计Q2价格跌幅将有所收窄,DRAM价格收窄至10%~15%,NAND价格收窄至5~10%。我们预计,2023H2或见存储价格的拐点,AI新需求有望推动存储周期复苏。
投资建议:存储周期底部逐渐明朗+AI需求催化,我们看好存储周期回暖下细分领域具备竞争实力的公司,建议关注兆易创新(NOR/SCLNAND/DRAM)、北京君正(车载SRAM/DRAM)、东芯股份(SCLNANDR/DRAM)、普冉股份(NOR/EEPROM)、恒烁股份(NOR)。
风险因素:历史规律失效风险;AI产业发展速度不及预期;下游需求不及预期。
(来源:信达证券)
粉丝特惠:好股票APP五个热门产品任选一款,体验五天!欢迎下载注册体验!
标签: