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天天速讯:高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板

来源:巨丰财经 时间:2023-06-30 14:22:52


(资料图片)

东微半导(688261)

投资要点

高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。公司重视底层器件结构创新,持续丰富产品矩阵,目前已覆盖高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET、TGBT、SiC器件等产品。下游应用领域包括以车载、直流充电桩、光伏逆变器、工业及通信电源为代表的工业级应用领域,以及以手机快速充电器、电源为代表的消费电子应用领域。受益新能源市场需求高增,公司营收持续快速增长,22全年、23Q1营收分别为11.2亿元、3.0亿元,同增43%、47%。盈利能力方面,受持续进行技术迭代、产品组合结构调整及涨价等综合因素影响,同时通过数字化手段不断提升运营效率,公司毛利率、净利率持续提升。

MOSFET:高压MOSFET市场快速增长,公司产品性能比肩国际龙头。伴随车载OBC、充电桩等下游高压领域需求增长,高压MOSFET将迎快速增长,根据电子发烧友,2021年全球中低压(<400v)和高压mosfet(>400V)市场规模分别约71亿美元、42亿美元,21-26年全球中低压、高压MOSFET市场规模CAGR分别约4%、12%。公司超级结MOSFET产品性能国内领先、超级硅MOSFET产品性能国际先进,并持续扩大高压超级结MOSFET在光伏逆变、储能应用、UPS领域的业务,成功替换IGBT并且明显提升系统效率,出货呈现迅速增加态势,未来有望深度受益下游大客户需求高增长。

IGBT&SiC:新能源市场拉动需求增长,公司积极布局。公司独创Trigate结构IGBT器件,性能国际领先,批量进入光伏逆变及储能、车载充电机、直流充电桩等领域头部客户供应链,并在新能源汽车主驱应用领域进入认证阶段。22年在SiC二极管、SiCMOSFET及Si2CMOSFET器件上取得较大研发进展,其中Si2CMOSFET进入批量生产阶段、首次实现营收,实现对采用传统技术路线的SiCMOSFET的替代。

盈利预测与投资评级:公司是高性能功率器件技术创新引领者,新品放量打开成长天花板。基于此,我们预计公司23-25年归母净利润为3.9/5.2/6.7亿元,当前市值对应PE分别为32.8/24.6/19.0倍,首次覆盖给予“买入”评级。

风险提示:代工产能增长不及预期;功率半导体市场竞争加剧的风险;下游需求不及预期的风险。

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